“上侧壁表面”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果16749670个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]柱塞侧壁表面缺陷检具-CN202122408586.3有效
发明人：万建刚;石建丰 -专利权人：常州市铸安机械有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： G01B5/28 文献下载
摘要：本实用新型属于检测技术领域，具体涉及一种柱塞侧壁表面缺陷检具，本装置包括：基座，竖直设置有两块安装板；支撑座，设置在两块安装板之间，用于盛放待检测柱塞；两个抬升组件，分别面向设置在两块安装板上，适于分别伸入柱塞中心孔的两端开口内，将柱塞抬升顶紧；旋转驱动器，设置在其中一个抬升组件上，用于驱动该抬升组件转动，以带动顶紧后的柱塞转动；以及检测机构，其包括有检测头，通过将检测头与转动后的柱塞侧壁表面贴合以检测凹凸缺陷，本检具通过两个抬升组件将柱塞从支撑座上抬升顶紧，再通过旋转驱动器驱动其中一个抬升组件转动，然后检测机构的检测头贴合转动后的柱塞的侧壁表面检测其凹凸缺陷，提高了检测精准度。
柱塞侧壁表面缺陷

[发明专利]侧壁式放板机的上料机构-CN201811443704.0在审
发明人：陈金华;徐在光 -专利权人：大江南电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： B65G59/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种侧壁式放板机的上料机构，包括用于放置物料的“L”型背板架和支撑轮组；所述背板架包括后背板和下支撑板，所述后背板具有一用于抵挡物料的抵挡结构和绝缘板，所述抵挡结构包括抵挡块、连接杆和驱动连接杆左右移动的驱动电机；所述下支撑板包括若干由所述下支撑板的上表面向上延伸且沿所述下支撑板的长度方向分布的抵挡凸起，每一所述抵挡凸起皆包括左侧壁、右侧壁以及连接左侧壁和右侧壁的上连接壁，每一所述抵挡凸起的右侧壁皆与所述后背板平行，且所有右侧壁的高度由所述下支撑板的左侧向所述下支撑板的右侧呈递增式分布。
下支撑板抵挡右侧壁放板机后背板凸起上料机构背板架侧壁式左侧壁驱动连接杆驱动电机下游工位向上延伸真空吸盘支撑轮组左右移动呈递绝缘板连接壁连接杆上表面顺畅性放板滚轮吸附平行保证

[实用新型]侧壁式放板机的上料机构-CN201821985676.0有效
发明人：陈金华;徐在光 -专利权人：大江南电子科技（昆山）有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： B65G59/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种侧壁式放板机的上料机构，包括用于放置物料的“L”型背板架和支撑轮组；所述背板架包括后背板和下支撑板，所述后背板具有一用于抵挡物料的抵挡结构和绝缘板，所述抵挡结构包括抵挡块、连接杆和驱动连接杆左右移动的驱动电机；所述下支撑板包括若干由所述下支撑板的上表面向上延伸且沿所述下支撑板的长度方向分布的抵挡凸起，每一所述抵挡凸起皆包括左侧壁、右侧壁以及连接左侧壁和右侧壁的上连接壁，每一所述抵挡凸起的右侧壁皆与所述后背板平行，且所有右侧壁的高度由所述下支撑板的左侧向所述下支撑板的右侧呈递增式分布。
下支撑板抵挡右侧壁放板机后背板凸起本实用新型上料机构背板架侧壁式左侧壁驱动连接杆驱动电机下游工位向上延伸真空吸盘支撑轮组左右移动呈递绝缘板连接壁连接杆上表面顺畅性放板滚轮吸附平行保证

[实用新型]音箱上盖侧壁胶带保压装置-CN202121157913.6有效
发明人：孟令建 -专利权人：歌尔股份有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： B30B9/28 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种音箱上盖侧壁胶带保压装置，包括有：底座，在底座上形成有放置部，在所述放置部上设有贯穿底座的真空吸附部；保压件，滑动设置在底座上，设有多个，多个保压件以所述放置部为中心滑动开合，在闭合时，相邻保压件间侧面相互贴合且在多个保压件间形成有位于放置部上方的容置槽，所述容置槽和所述放置部位置对应，在所述容置槽的内侧壁上形成有沿其周向设置的环形保压部；顶紧件，设置在所述底座上，用于在保压件滑动到位时对其顶紧通过本实用新型解决了现有技术中对音箱上盖侧壁胶带保压导致的保压效果差的问题。
音箱侧壁胶带装置

[发明专利]存储器件上的侧壁间隔件-CN200680017416.8有效
发明人：大卫·K·王;库纳尔·帕尔克;迈克·维利特;杰吉时·特莱维蒂;苏瑞·马休;葛瑞格·彼得森 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2006-05-05 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明总体涉及在存储器件上制造侧壁间隔件的方法、以及包括这种侧壁间隔件的存储器件。在一个范例实施例中，该方法包括通过下述方式在包括存储器阵列和至少一个外围电路的存储器件上形成侧壁间隔件：在所述存储器阵列中的字线结构邻近形成第一侧壁间隔件，该第一侧壁间隔件具有第一厚度；以及在所述外围电路中的晶体管结构邻近形成第二侧壁间隔件，该第二侧壁间隔件具有大于所述第一厚度的第二厚度，其中，所述第一侧壁间隔件和所述第二侧壁间隔件包含来自单层间隔件材料的材料。在一个范例实施例中，该器件包括：存储器阵列，其包括多个字线结构，所述多个字线结构中的每一个均具有形成在其邻近的第一侧壁间隔件，所述第一侧壁间隔件具有第一厚度；以及外围电路，其包括至少一个晶体管，所述晶体管具有形成在其邻近的第二侧壁间隔件，所述第二侧壁间隔件具有大于所述第一厚度的第二厚度，所述第一侧壁间隔件和所述第一侧壁间隔件包含来自单层间隔件材料的材料。
存储器件侧壁间隔

[发明专利]半导体表面结构侧壁表征方法-CN201210545603.0在审
发明人：姚树歆;李铭;储佳 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2012-12-14 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造领域，公开了一种半导体表面结构侧壁倾角表征方法，通过测量和提取半导体表面结构图形化区域顶部线宽、底部线宽及半导体表面结构介质层厚度，实现对其侧壁倾角的表征。本方法中所需的各种测量均为自上而下俯视进行的线宽测量，且所述半导体表面结构介质层厚度经由设计参数直接提取、或通过膜厚仪等测量设备以非接触性的光学测量方法测得，在表征过程中无需对待测晶圆进行切片，不进行断面扫描，根据上述各测量数据直接计算得到半导体表面结构侧壁表征结果，能够直观反映各种特征尺寸、各种深宽比范围的半导体表面图形化结构侧壁准直性。
半导体表面结构侧壁表征方法

[发明专利]MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法-CN201110268002.5有效
发明人：吴金刚;刘焕新;韦庆松;何永根 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS表面栅极侧壁层的刻蚀方法，包括：提供MOS器件，包括设置于衬底上的栅极、源漏极以及栅极与源漏极之间设置的侧壁层；对所述MOS器件利用干法刻蚀掉部分侧壁层；对经过干法刻蚀后的MOS器件进行臭氧水浸渍采用干法刻蚀实现在尚未对源漏极掺杂区域产生破坏时刻蚀掉部分侧壁层材料；臭氧水浸渍形成了掺杂区域表面的氧化硅保护膜，在湿法刻蚀时，磷酸和侧壁层的氮化硅材料反应以刻蚀掉侧壁层，而保护膜防止了磷酸对掺杂区域的刻蚀本发明在刻蚀侧壁层的同时保护了掺杂区域，避免了对MOS器件性能的损害。
mos 表面栅极侧壁刻蚀方法

[实用新型]断路器上降低侧壁温升的结构-CN201922151287.9有效
发明人：何国标;沈艳;何海良;李小利;徐赛金 -专利权人：德力西电气有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01H9/52 文献下载
摘要：本实用新型涉及断路器技术领域，特别是公开了一种断路器上降低侧壁温升的结构，包括基座，所述基座的左右侧壁靠近断路器的软连结和热元件的位置处设置有气流通道，所述气流通道的两端分别与基座的内部和外部联通形成对流采用上述结构，提供了一种降低断路器侧壁温升的结构，可以形成对流，有效降低侧壁对应软联结位置的温升，从而满足塑壳类产品温升测试达到国家标准。
断路器降低侧壁结构

[发明专利]沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件-CN202111388116.3在审
发明人：夏志平;田浩洋;陈洪雷;孙样慧;温建功 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰集昕微电子有限公司
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽侧壁的表面掺杂方法及半导体器件，所述掺杂方法包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中具有沟槽；基于所述沟槽形成扩散掺杂区域，所述沟槽的至少部分侧壁具有所述扩散掺杂区域；其中，位于所述沟槽侧壁的所述扩散掺杂区域的掺杂浓度沿着所述沟槽深度方向保持不变应用本发明提供的技术方案，基于半导体衬底上的沟槽形成扩散掺杂区域，相对于传统离子注入方式，在沿半导体衬底厚度的方向上，能够形成掺杂浓度保持不变的扩散掺杂区域。
沟槽侧壁表面掺杂方法半导体器件

[实用新型]一种火焰罩侧壁表面打磨定位装置-CN202121271676.6有效
发明人：徐雷霆 -专利权人：昆山三众汽车部件制造有限公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型揭示了一种火焰罩侧壁表面打磨定位装置，其包括安装板、可旋转的设置在所述安装板上的旋转板、等角度环形设置在所述旋转板上的若干定位支撑块，所述定位支撑块为尼龙材质的块状结构且具有与火焰罩侧壁内侧表面仿形的仿形支撑面
一种火焰侧壁表面打磨定位装置

[发明专利]用于汽车的外侧壁结构、外侧壁模块和侧壁-CN201210024729.3有效
发明人： M.朱特纳;M.舒尔塞伊斯 -专利权人：通用汽车环球科技运作有限责任公司
申请日： 2012-02-06 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： B62D25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于汽车尤其是轿车的外侧壁结构(1)，其具有前部区段(2)和后部区段(3)，在这两个区段之间能够布置至少一个汽车车门，还具有上部区段(4)和下部区段(5)。本发明还涉及一种用于汽车的外侧壁模块(200)、侧壁以及一种汽车，尤其是轿车。
用于汽车外侧结构模块侧壁

[发明专利]一种隧道双上侧壁导坑施工方法-CN201010188243.4有效
发明人：肖营;韦广华;陈志龙;曹泊宇;王志明;胡伦炜;闫星佑 -专利权人：深圳市建设(集团)有限公司
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： E21D9/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种隧道双上侧壁导坑施工方法，该方法开挖时，将隧道横断面分成一号导坑、二号导坑、上部核心土，一号下台阶和二号下台阶分时进行开挖，所述的一号导坑与一号下台阶，所述的二号导坑与二号下台阶的分界线为起拱线上部分采用改进后的双侧壁导坑法施工，将大断面隧道分成左右导洞先后紧随施工，然后放坡开挖核心土，既减小了开挖断面跨度，核心土又能起到支撑作用。
一种隧道侧壁导坑施工方法

[发明专利]改善AMR MEMS器件侧壁表面粗糙度的方法-CN201510579387.5在审
发明人：赵波 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-09-12 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善AMR MEMS器件侧壁表面粗糙度的方法，包括：在衬底上形成氧化物层；在所述氧化物层中形成凹槽；沉积硼磷硅玻璃以使得在凹槽侧壁上覆盖有硼磷硅玻璃；对执行热处理以修补凹槽侧壁上的刻蚀损伤；在硅片表面沉积氮化硅层，使得氮化硅层覆盖凹槽底部和凹槽侧壁；在所述氮化硅层上沉积NiFe层。
改善 amr mems 器件侧壁表面粗糙方法

[发明专利]具有预润湿触点侧壁表面的集成电路封装-CN201880029964.5在审
发明人：小松大贵;涩谷诚 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-06-19 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L21/782 文献下载
摘要：一组触点(102、103)形成在所述封装(100)上，每一触点具有暴露的触点侧壁表面和暴露的触点下部表面(813、823)。焊料可湿性材料的保护层(814、824)覆盖每一触点侧壁表面。
触点封装侧壁表面囊封焊料集成电路裸片集成电路IC 可湿性材料下部表面引线框架保护层暴露覆盖

[外观设计]手镯（上上签方形表面）-CN202230725296.9有效
发明人：李洪胜 -专利权人：李洪胜
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： 11-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：手镯（上上签方形表面）。2.本外观设计产品的用途：用于首饰佩戴。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
手镯上上方形表面

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条